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Bipolartransistoren mit isoliertem Gate (IGBT) und Diodenmodule mit SPT, SPT+, SPT++ und TSPT+ Chips | Hitachi Energy
Diskreter 1200-V-IGBT mit Diode auf 300-mm-Wafer
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G4PC50FD ; Transistor IGBT with Diode 600V 55A 200W, TO-247 - Al-Hekma Electronics
Discrete IGBT with Anti-Parallel Diode - Infineon Technologies
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Warum das gute Zusammenspiel von IGBT und Diode wichtig ist
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Copack IGBT and diode in ISO247 package - Electronic Products
IKW40N120H3 - Infineon Technologies
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Discrete IGBT with Anti-Parallel Diode - Infineon Technologies
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